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ELECTRONICA HI-FI S.A.C EN LA PARTIDA MOTORES, GENERADORES, TRANSFORMADORES, ELECTROIMANES, ACUMULADORES, ASPIRADORAS, APARATOS ELECTRO-MECÁNICOS Y DE ALUMBRADO, HORNOS, SOLDADORAS, CALENTADORES ELÉCTRICOS, TELÉFONOS, APARATOS Y DISPOSITIVOS AUDIOVISUALES. AISLADORES Y DIVERSO MATERIAL ELÉCTRICO: 3401 TOTAL REGISTROS

FILTROS



ADUANA AÑO DUA CANT. UNIDAD MEDIDA PRODUCTO ORIGEN PROCEDENCIA VALOR FOB $
MARITIMA DEL CALLAO 2024 1000 U TRANSISTOR MOSFET, S/M, 2N7000 TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR FET DE SEÑAL PEQUEÑA 2N7000 DE CANAL N Y 60 VOLTIOS 200 MA. ENCAPSULADO: TO-92 CHINA HONG KONG 22.85
MARITIMA DEL CALLAO 2024 20000 U TRANSISTOR, S/M, S/M TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 2N2222 BIPOLAR (BJT) TIPO NPN DE 40VOLTIOS 0.60 AMPER CHINA HONG KONG 112
MARITIMA DEL CALLAO 2024 300 U TRANSISTOR, S/M, 2N3819 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR JFET 2N3819 DE 25VOLTIOS 50MA ENCAPSULADO TO-92 - MON CHINA CHINA 46.82
MARITIMA DEL CALLAO 2024 2000 U TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET CANAL N DE 60 VOLTIOS 35 AMPERIOS - ENCAPSUL CHINA CHINA 215.04
MARITIMA DEL CALLAO 2024 1000 U TRANSISTOR BJT, S/M, TIP120 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN DARLINGTON TIP120 DE USO GENERAL DE 60VOLTI CHINA CHINA 60.21
MARITIMA DEL CALLAO 2024 900 U TRANSISTOR BJT, STMICROELECTRONICS, TIP35C TRANSISTOR BJT TRANSISTOR BIPOLAR TRANSISTOR BJT NPN DE POTENCIA. CORRIENTE: 25 AMPERIOS VOLTAJE: 100 VD CHINA CHINA 180.65
MARITIMA DEL CALLAO 2024 500 U TRANSISTOR MOSFET, I R, IRF9630 TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR DE POTENCIA IRF9630 TIPO MOSFET CANAL P. MAGNITUDES MAXIMAS: -200VOLTIOS, CORRI CHINA CHINA 75.29
MARITIMA DEL CALLAO 2024 250 U TRANSISTOR MOSFET, S/M, HW-042 TRANSISTOR MOSFET MÓDULO DE CONTROLADOR CON TRANSISTOR. MOSFET IRF520 MONTADO EN PLACA - USOS: PROYECTOS CON CHINA HONG KONG 68.48
MARITIMA DEL CALLAO 2024 3000 U TRANSISTOR, S/M, S/M TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR PNP DE -100 VOLTIOS -3 AMPERIOS. ENCAPSULADO TO-220 CHINA HONG KONG 177
MARITIMA DEL CALLAO 2024 1000 U TRANSISTOR MOSFET, IR, IRF3205 TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR HEXFET POWER MOSFET DE 55 VOLTIOS 110 AMPERIOS ENCAPSULADO TO-22 CHINA CHINA 148.93
MARITIMA DEL CALLAO 2024 500 U DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, IRF740 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR IRF740 DE POTENCIA TIPO MOSFET CANAL N. MAGNITUDES MAXIMAS: 400VOLTIOS, CORRIEN ENCAPSULADO TO-220AB MONTAJE: AGUJERO PASANTE CHINA CHINA 63.81
MARITIMA DEL CALLAO 2024 500 U DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ST, TIP3055 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT DE ALTA POTENCIA TIP3055 TIPO NPN, MAGNITUDES MAXIMAS: VOLTAJE: 60VOLTIOS, CHINA CHINA 102.82