| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, 2N7000 TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR FET DE SEÑAL PEQUEÑA 2N7000 DE CANAL N Y 60 VOLTIOS 200 MA. ENCAPSULADO: TO-92 | CHINA | HONG KONG | 22.85 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 20000 | U | TRANSISTOR, S/M, S/M TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 2N2222 BIPOLAR (BJT) TIPO NPN DE 40VOLTIOS 0.60 AMPER | CHINA | HONG KONG | 112 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 300 | U | TRANSISTOR, S/M, 2N3819 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR JFET 2N3819 DE 25VOLTIOS 50MA ENCAPSULADO TO-92 - MON | CHINA | CHINA | 46.82 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 2000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET CANAL N DE 60 VOLTIOS 35 AMPERIOS - ENCAPSUL | CHINA | CHINA | 215.04 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 1000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, TIP120 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN DARLINGTON TIP120 DE USO GENERAL DE 60VOLTI | CHINA | CHINA | 60.21 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 900 | U | TRANSISTOR BJT, STMICROELECTRONICS, TIP35C TRANSISTOR BJT TRANSISTOR BIPOLAR TRANSISTOR BJT NPN DE POTENCIA. CORRIENTE: 25 AMPERIOS VOLTAJE: 100 VD | CHINA | CHINA | 180.65 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 500 | U | TRANSISTOR MOSFET, I R, IRF9630 TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR DE POTENCIA IRF9630 TIPO MOSFET CANAL P. MAGNITUDES MAXIMAS: -200VOLTIOS, CORRI | CHINA | CHINA | 75.29 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 250 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, HW-042 TRANSISTOR MOSFET MÓDULO DE CONTROLADOR CON TRANSISTOR. MOSFET IRF520 MONTADO EN PLACA - USOS: PROYECTOS CON | CHINA | HONG KONG | 68.48 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 3000 | U | TRANSISTOR, S/M, S/M TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR PNP DE -100 VOLTIOS -3 AMPERIOS. ENCAPSULADO TO-220 | CHINA | HONG KONG | 177 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, IR, IRF3205 TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR HEXFET POWER MOSFET DE 55 VOLTIOS 110 AMPERIOS ENCAPSULADO TO-22 | CHINA | CHINA | 148.93 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 500 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, IRF740 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR IRF740 DE POTENCIA TIPO MOSFET CANAL N. MAGNITUDES MAXIMAS: 400VOLTIOS, CORRIEN ENCAPSULADO TO-220AB MONTAJE: AGUJERO PASANTE | CHINA | CHINA | 63.81 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 500 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ST, TIP3055 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT DE ALTA POTENCIA TIP3055 TIPO NPN, MAGNITUDES MAXIMAS: VOLTAJE: 60VOLTIOS, | CHINA | CHINA | 102.82 |