| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 100 | U | DIODO, VISHAY, VS-25FR120 DIODO DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - DIODO DE RECUPERACIÓN ESTÁNDAR (VERSIÓN DE PERNO) 1200VOLTIOS | INDIA | CHINA | 405.55 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 300 | U | TRANSISTOR BJT, ON, BC109 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BC109 TRANSISTOR NPN USO GENERAL METAL 25V 200MA. | CHINA | HONG KONG | 77.13 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 6000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, BC549 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BC549 DE PROPOSITO GENERAL TRANSISTOR BJT NPN DE 30VO | CHINA | CHINA | 38.5 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 2000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, 2N7000 TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR 2N7000 TRANSISTOR FET DE SEÑAL DE CANAL N Y 60 VOLTIOS 200 MA. TO-92. MONTAJE: AGUJERO PASANTE. USOS: EDUCACION. INDUSTRIA, BRICOLAGE, PARA APLICACIONES | CHINA | CHINA | 45.86 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 1000 | U | TRANSISTOR PNP, S/M, S8550 TRANSISTOR PNP DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR S8550D TRANSISTOR PNP DE SILICIO. VOLTAJE: -25VOLTIOS, CORRIENTE USO: PARA APLICACIONES DE AMPLIFICACIÓN Y CONMUTACIÓN, EN CIRCUITOS DE AUDIO, FUENTES DE | CHINA | CHINA | 5.76 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 200 | U | TRANSISTOR, MOTOROLA, 2N2646 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR UNIJUNTURA 2N2646 PUT DE 30VOLTIOS 50MA ENCAPSULADO T | KOREA, REPUBLIC OF | CHINA | 107.81 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 2000 | U | TRANSISTOR, S/M, TIP42C TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT TIP42C TIPO PNP DE SILICIO. VOLTAJE MAXIMO: 100 V | CHINA | CHINA | 118.86 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 7000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, TIP31C TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN TIP31 DE USO GENERAL DE 100VOLTIOS 3AMPERIO | CHINA | CHINA | 421.45 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 100 | U | TRANSISTOR IGBT, IR, G4BC30K TRANSISTOR IGBT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR IGBT DE 600 VOLTIOS 28 AMPERIOS 100 WATTS. ENCAPSULA | CHINA | HONG KONG | 54.28 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRF530N TRANSISTOR MOSFET IRF530N TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE 100VOLTIOS 17AMPERIOS ENCAPSULADO TO-220AB. APLIC | CHINA | CHINA | 113.48 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 500 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, TIP122 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR TIP122 BJT DARLINGTON NPN DE 100VOLTIOS 5AMPERIOS Y 6 | CHINA | CHINA | 34.07 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2024 | 5000 | U | TRANSISTOR NPN, NXP, BD139 TRANSISTOR NPN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DE USO GENERAL DE 80 VOLTIOS 1.5AMPERIOS. ENCAPSULADO | CHINA | CHINA | 74.36 |