| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 20000 | U | TRANSISTOR, S/M, 2N2222 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 2N2222 BIPOLAR (BJT) TIPO NPN DE 40VOLTIOS 0.60 AMPER USOS: EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE. | CHINA | CHINA | 111.75 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 10000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, BC547 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BC547 DE PROPOSITO GENERAL TRANSISTOR BJT NPN DE 45VO | CHINA | CHINA | 53.94 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 2000 | U | TRANSISTOR PNP, S/M, S8550 TRANSISTOR PNP DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR S8550 TRANSISTOR PNP DE SILICIO. VOLTAJE: -25VOLTIOS, CORRIENTE: USO: PARA APLICACIONES DE AMPLIFICACIÓN Y CONMUTACIÓN, EN CIRCUITOS DE AUDIO, FUENTES DE A | CHINA | HONG KONG | 11.01 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 50000 | U | TRANSISTOR, S/M, 2N2222 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 2N2222 BIPOLAR (BJT) TIPO NPN DE 40VOLTIOS 0.60 AMPER USOS: EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE. | CHINA | CHINA | 273.56 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 200 | U | TRANSISTOR, MOTOROLA, 2N2646 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR UNIJUNTURA 2N2646 PUT DE 30VOLTIOS 50MA ENCAPSULADO T USOS: EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE. | KOREA, REPUBLIC OF | CHINA | 108.33 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRF840 TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR DE POTENCIA IRF840 TIPO MOSFET CANAL N. MAGNITUDES MAXIMAS: 500VOLTIOS, CORRIEN USOS: EDUCACION, BRICOLAGE | CHINA | CHINA | 126.28 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR DARLINGTON, S/M, TIP122 TRANSISTOR DARLINGTON DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR TIP122 BJT DARLINGTON NPN DE POTENCIA MEDIA. VOLTAJE: USO: PARA APLICACIONES DE CONMUTACIÓN Y AMPLIFICACIÓN DE ALTA CORRIENTE. | CHINA | CHINA | 68.11 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, IR, IRF3205 TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR IRF3205P HEXFET POWER MOSFET DE 55 VOLTIOS 110 AMPERIOS ENCAPSUL | CHINA | CHINA | 148.78 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 200 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, IR, IRFP250N DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR IRFP250N TRANSISTOR MOSFET CANAL N DE 200VOLTIOS 30AMPERIOS - EN | CHINA | CHINA | 58.11 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, TIP120 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN DARLINGTON TIP120 DE USO GENERAL DE 60VOLTI . USOS: EDUCACION, BRICOLAGE | CHINA | CHINA | 59.53 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRF540N TRANSISTOR MOSFET TRANSISTOR IRF540N MOSFET DE CANAL N DE 100VOLTIOS 33AMPERIOS. ENCAPSULADO TO-220. MONTAJE USO: FUENTES CONMUTADAS DC-DC | CHINA | CHINA | 128.3 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 2000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE 60 VOLTIOS 35 AMPERIOS - PARA APLICACIONES COMO CONTROL DE MOTORES, FUENTES Y SISTEMAS DE ILUMINACIÓN LED. | CHINA | CHINA | 199.8 |