| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 2000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, 1N4733 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DIODO DE SILICIO ZENER DE 1WATT EN ENCAPSULADO DO-41. SERIE 1N47 | CHINA | CHINA | 12.18 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 2000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, 1N4740 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DIODO DE SILICIO ZENER DE 1WATT EN ENCAPSULADO DO-41. SERIE 1N47 | CHINA | CHINA | 12.18 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 2000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, 1N4746 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DIODO DE SILICIO ZENER DE 1WATT EN ENCAPSULADO DO-41. SERIE 1N47 | CHINA | CHINA | 12.18 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 2000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, 1N4749 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DIODO DE SILICIO ZENER DE 1WATT EN ENCAPSULADO DO-41. SERIE 1N47 | CHINA | CHINA | 12.18 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 100 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, VISHAY, VS-85HF120 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DIODO DE RECUPERACIÓN ESTÁNDAR (VERSIÓN DE PERNO) 1200VOLTIOS 85 | CHINA | CHINA | 608.09 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 100 | U | PUENTE DE DIODOS, IR, 36MB160A PUENTE DE DIODOS DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - PUENTE DE DIODOS RECTIFICADOR MONOFÁSICO VISHAY - VOLTAJE MAXI | INDIA | HONG KONG | 169.6 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 60 | U | [36MB160A] PUENTE DE DIODOS MONOFÁSICO VISHAY 1600V 35A ENCAPSULADO D-34, IR, 36MB160A [36MB160A] PUENTE DE DIODOS MONOFÁSICO VISHAY 1600V 35A ENCAPSULADO D-34 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - PUENTE DE DIODOS MONOFÁSICO VISHAY DE 1600VOLTIOS 35AMPERIOS E | INDIA | HONG KONG | 114.6 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 100 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR T, MOTOROLA, 2N2646 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR T DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR UNIJUNTURA 2N2646 PUT DE 30VOLTIOS 50MA ENCAPSULADO T | CHINA | HONG KONG | 60.86 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 500 | U | [IRFP250N] TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N DE 200V 30A ENCAPSULADO TO-247, IR, IRFP2 [IRFP250N] TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N DE 200V 30A ENCAPSULADO TO-247 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET CANAL N DE 200V 30A - ENCAPSULADO | CHINA | HONG KONG | 165 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 5000 | U | [TIP31C] TIP31C TRANSISTOR NPN DE USO GENERAL 100V 3A ENCAPSULADO TO-220, S/M, TIP31C [TIP31C] TIP31C TRANSISTOR NPN DE USO GENERAL 100V 3A ENCAPSULADO TO-220 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN DE USO GENERAL 100V 3A ENCAPSULADO TO-220. | CHINA | HONG KONG | 300 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 300 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, TIP122 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR TIP122 BJT DARLINGTON NPN DE 100VOLTIOS 5AMPERIOS Y 6 | CHINA | CHINA | 21.34 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 1000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRFZ44N DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR MOSFET CANAL N DE 60 VOLTIOS 35 AMPERIOS - ENCAPSUL | CHINA | HONG KONG | 118.8 |