| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 5000 | U | [BC557] TRANSISTOR PNP DE USO GENERAL -45V -0.1A ENCAPSULADO TO-92, S/M, BC557 [BC557] TRANSISTOR PNP DE USO GENERAL -45V -0.1A ENCAPSULADO TO-92 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT PNP DE USO GENERAL -45V -0.1A ENCAPSULADO TO-92 | CHINA | HONG KONG | 30 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 3000 | U | [MMBT3906] MMBT3906LT1G TRANSISTOR PNP USO GENERAL SMD -40V -200MA ENCAPSULADO SOT-23, FOS [MMBT3906] MMBT3906LT1G TRANSISTOR PNP USO GENERAL SMD -40V -200MA ENCAPSULADO SOT-23 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G TRANSISTOR BJT PNP USO GENERAL SMD | CHINA | HONG KONG | 15 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 3000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, FOSAN, MMBT3904 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR NPN SMD 40V 200MA ENCAPSULADO SOT-23(1AM). MONTAJE SU | CHINA | CHINA | 15.31 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 6000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, FOSAN, MMBT3906LT1 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G TRANSISTOR BJT PNP USO GENERAL SMD -40V -200MA ENCA | CHINA | CHINA | 30.62 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 4000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR PNP, SIN MARCA, TIP42C DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR PNP DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR PNP DE -100VOLTIOS -6AMPERIOS - TIPO DE ENCAPSULAD | CHINA | CHINA | 249.11 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 1000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR -, NXP, BD137 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR - DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR - TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) NPN 60V 1.5A ENCAPSULADO | CHINA | CHINA | 15.54 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 200 | U | [TIP3055] TIP3055 TRANSISTOR NPN 60V 15A ENCAPSULADO TO-247 "ST", ST, TIP3055 [TIP3055] TIP3055 TRANSISTOR NPN 60V 15A ENCAPSULADO TO-247 "ST DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BJT NPN VOLTAJE: 60V CORRIENTE: 15A ENCAPSULADO TO- | CHINA | HONG KONG | 48 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 2000 | U | TRANSISTOR, NXP, BD135 TRANSISTOR TRANSISTOR NPN DE USO GENERAL 45V 1.5AMP. ENCAPSULADO TO-126. MONTAJE: AGUJERO PASANTE | CHINA | CHINA | 31.25 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 200 | U | TRANSISTOR, S/M, IRF740 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR IRF740 DE POTENCIA TIPO MOSFET CANAL N. MAGNITUDES MAXIMAS: 400VOLTIOS, CORRIEN | CHINA | CHINA | 26.14 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 6000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED, S/M, S/M DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DE MONTAJE SUPERFICIAL SMD/SMT 1206 (3216 MÉTRICO) SUPERBRIL | CHINA | HONG KONG | 27.78 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 6000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED, S/M, S/M DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DE MONTAJE SUPERFICIAL SMD/SMT 1206 (3216 MÉTRICO) SUPERBRIL | CHINA | HONG KONG | 27.78 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2023 | 3000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED, S/M, S/M DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LED DE MONTAJE SUPERFICIAL SMD/SMT 1206 (3216 MÉTRICO) SUPERBRIL | CHINA | HONG KONG | 13.89 |