| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 300 | U | TRANSISTOR BJT, ON, BC109 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - TRANSISTOR BC109 TRANSISTOR NPN USO GENERAL METAL 25V 200MA. ENCAPSULADO: TO-18 MONTAJE: AGUJERO PASANTE. USOS: EDUCACION, BRICOLAGE, INDUSTRIA | CHINA | CHINA | 75.28 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, MPSA92 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTORTRANSISTOR BIPOLAR DE UNION (BJT) DE TIPO PNP -300V -500 MA ENCAP USO: PARA CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN Y AMPLIFICACIÓN DE ALTA TENSIÓN | CHINA | CHINA | 7.62 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 3000 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, FOSAN, MMBT3904 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MMBT3904 TRANSISTOR NPN SMD 40VOLTIOS 200MILIAMPERIOS. ENCAPSULA | CHINA | CHINA | 14.96 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 8000 | U | TRANSISTOR, S/M, C945 TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR C945 TRANSISTOR NPN DE USO GENERAL DE BAJA POTENCIA DE 60 VOLTIO USOS: EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE | CHINA | HONG KONG | 37.74 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 300 | U | TRANSISTOR, MOTOROLA, 2N2646 TRANSISTOR [2N2646] 2N2646 TRANSISTOR UNIJUNTURA PUT 30V 50MA ENCAPSULADO TO-18 EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE. | KOREA, REPUBLIC OF | HONG KONG | 157.89 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 3000 | U | TRANSISTOR, S/M, TIP41C TRANSISTOR [TIP41C] TIP41C TRANSISTOR NPN DE 100 VOLTIOS 6 AMPERIOS ENCAPSULADO TO-220 POTENCIA 65WAT USO: EN APLICACIONES DE AMPLIFICACIÓN Y CONMUTACIÓN. | CHINA | HONG KONG | 174.6 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 100 | U | TRANSISTOR MOSFET, IR, IRFZ42 TRANSISTOR MOSFET [IRFZ42] IRFZ42 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 50V 35A ENCAPSULADO TO-220 USOS: FUENTES CONMUTADAS, EDUCACIÓN, BRICOLAJE, INDUSTRIA | CHINA | HONG KONG | 11.08 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 300 | U | TRANSISTOR MOSFET, IR, IRFP150N TRANSISTOR MOSFET [IRFP150N] IRFP150N TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 44A ENCAPSULADO TO-247 TRANSISTOR MOSFET IRFP150N DE CANAL N DE 100VOLTIOS 44AMPERIOS ENCAPSULADO TO-247. USO: AP | CHINA | HONG KONG | 78.96 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 300 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ST, TIP2955 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT DE ALTA POTENCIA TIP2955 TIPO PNP, MAGNITUDES MAXIMAS: VOLTAJE: 60VOLTIOS, CORRIENTE: 15AMPERIOS, ENCAPSULADO TO-247 - MONTAJE: AGUJERO PASANTE | CHINA | CHINA | 60.68 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 500 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, S/M, IRF740 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR IRF740 DE POTENCIA TIPO MOSFET CANAL N. MAGNITUDES MAXIMAS: 400VOLTIOS, CORRIEN | CHINA | CHINA | 63.76 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 450 | U | DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ST, TIP3055 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT DE ALTA POTENCIA TIP3055 TIPO NPN, MAGNITUDES MAXIMAS: VOLTAJE: 60VOLTIOS, | CHINA | HONG KONG | 89.69 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 1000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRF530N TRANSISTOR MOSFET IRF530N TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE 100VOLTIOS 17AMPERIOS ENCAPSULADO TO-220AB. APLIC USOS: EDUCACION, INDUSTRIA, BRICOLAGE | CHINA | CHINA | 108.29 |