| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 3000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, C1815 TRANSISTOR BJT DISPOSITIVO SEMICONDUCTORTRANSISTOR BIPOLAR DE UNION (BJT) DE TIPO NPN, 50V 150MA, ENCAPSULADO TO-92 - MONTAJE: AGUJERO PASANTE, USO: PARA APLICACIONES DE AMPLIFICACIÓN DE F | CHINA | CHINA | 13.72 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 20000 | U | TRANSISTOR BJT, S/M, 2N3904 TRANSISTOR BJT TRANSISTOR 2N3904 TIPO NPN DE USO GENERAL DE 40VOLTIOS 200MA. ENCAPSULADO TO-92. MONTAJE: | CHINA | CHINA | 99.66 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 2000 | U | TRANSISTOR MOSFET, S/M, IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR IRFZ44N TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE 60 VOLTIOS 35 AMPERIOS - | CHINA | CHINA | 210.5 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 2000 | U | TRANSISTOR, S/M, TIP41C TRANSISTOR DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BJT TIP41C NPN DE 100 VOLTIOS 6 AMPERIOS ENCAPSULADO USO: EN APLICACIONES DE AMPLIFICACIÓN Y CONMUTACIÓN. | CHINA | CHINA | 117.85 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 4000 | U | TRANSISTOR NPN, NXP, BD135 TRANSISTOR NPN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR BD135 DE USO GENERAL DE 45VOLTIOS 1.5AMPERIOS. ENCAPS USO: TARJETAS ELECTRONICAS, EDUCACION, INDUSTRIA | CHINA | CHINA | 61.77 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 100 | U | TRANSISTOR IGBT, IR, G4BC30K TRANSISTOR IGBT DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR G4BC30K TRANSISTOR IGBT DE 600 VOLTIOS 28 AMPERIOS 100 WATTS. EN USOS: FUENTES DE ALIMENTACION SWITCHING | CHINA | CHINA | 49.61 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 90 | U | TRANSISTOR DARLINGTON, ST, TIP147 TRANSISTOR DARLINGTON DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIP147 TRANSISTOR DARLINGTON PNP DE POTENCIA. VOLTAJE: 100VOLTIO USO:PARA APLICACIONES DE CONMUTACIÓN Y AMPLIFICACIÓN DE ALTA CORRIENTE | CHINA | HONG KONG | 34.63 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 200 | U | FOTOTRANSISTOR, S/M, ST-1KLA FOTOTRANSISTOR ST-1KLA FOTOTRANSISTOR DE SILICIO DE ALTA SENSIBILIDAD. SELLADO HERMÉTICAMENTE. ENCAPSULAD USO: DETECCION DE LUZ AMBIENTAL. PARA BRICOLAJE Y PROYECTOS ELECTRONICOS | CHINA | CHINA | 68.42 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 5000 | U | DIAC, SEMTECH, DB3 DIAC DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE SILICIO MODELODB3, DIODO DE CORRIENTE ALTERNA, TIPO DEENCAPSU USO: PARA APLICACIONES DE CONTROL DE CORRIENTE ALTERNA (AC) | CHINA | CHINA | 24.38 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 40000 | U | LED, S/M, S/M LED DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR - DIODO EMISOR DE LUZ LED TRANSPARENTE DE COLOR ROJO DE 5MM DE D LONGITUD DE ONDA 620-625NM, MCD 10000-12000. MONTAJE: 2 PINES PARA SOLDAR. | CHINA | CHINA | 226.24 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 300 | U | DIODO LED, S/M, S/M DIODO LED DIODO EMISOR DE LUZ, LED SMD DE POTENCIA DE 3 WATTS. CORRIENTE MÁXIMA 0.6 AMPERIOS. MONTAJ USOS: EDUCACION, ILUMINACION, BRICOLAGE | CHINA | HONG KONG | 36.37 |
| MARITIMA DEL CALLAO | 2025 | 500 | U | DIODO LED, S/M, S/M DIODO LED DIODO EMISOR DE LUZ, LED SMD DE POTENCIA DE 3 WATTS. CORRIENTE MÁXIMA 0.6 AMPERIOS. MONTAJ .USOS: EDUCACION, ILUMINACION, BRICOLAGE | CHINA | HONG KONG | 60.61 |